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多层膜巨磁电阻材料

 2014-09-12 09:19:23 浏览量:10

多层膜巨磁电阻效应的产生机理主要为自旋相关散射,即散射矩阵依赖于传导电子自旋相对被散射的局域磁矩的取向。在电子输运过程中除考虑电子为电荷的载体外,还必须考虑电子自旋相对于局域磁化矢量的取向,不同的取向将会导致电子被散 射的几率或电子隧穿的几率不同,从而产生磁电阻效应,控制纳米材料中磁性体的磁化状态,可以改变材料的电阻率。GMR与界面原子排列的粗糙度密切相关,合适的界面粗糙度可获得较大的GMR效应。具体可用二流体模型解释,其中较为直观的是等效电阻模型。但更详细原因尚未完全清楚[2,3]。在多层膜中目前应用开发的主要是自旋阀型多层膜,自旋阀主要由铁磁层(自由层)/隔离层(非磁性层)/铁磁层(钉扎层)/反铁磁层组成。一般的多层膜虽然磁电阻效应大得多,但所需饱和磁场亦高,即磁场灵敏度较低。自旋阀型多层膜能显著提高磁场灵敏度Sv为0.0126%~0.0251%m/A,自旋阀型多层膜还具有频率特性好,信噪比高等优点,在计算机信息磁场和高灵敏传感器方面有广阔的应用前景。新一代的自旋阀型多层膜将有更高的灵敏度、更好的热稳定性并能加工得更薄,可再生和大批量生产

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